Kim son höchst. EP0447868A1

Kim Hoechst

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Bei dem erfindinngsgemäßen Verfahren zur Herstellung von Reliefmustern wird eine strahlungsempfindliche Aufzeichnungsschicht, die im wesentlichen aus dem erfindungsgemäßen strahlungsempfindlichen Gemisch besteht, bildmäßig in solcher Dosis bestrahlt, daß die Löslichkeit der belichteten Bereiche in wäßrig-alkalischen Lösungsmitteln zunimmt und diese bestrahlten Bereiche selektiv mit dem alkalischen Entwickler entfernt werden können. Die Empfindlichkeit dieser Systeme gegenüber Strahlung, insbesondere kurzwelliger Strahlung, ist jedoch teilweise unbefriedigend. Positiv arbeitende strahlungsempfindliche Gemische sind bekannt. Empfindlichkeitserhöhungen in strahlungsempfindlichen Systemen, die in der Primärfotoreaktion eine Spezies erzeugen, die dann unabhängig von der Strahlung eine katalytische Sekundärreaktion auslösen, sind ebenfalls bereits bekannt. Strahlungsempfindliches Gemisch nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß als polymeres Bindemittel a ein Umsetzungsprodukt aus Poly- p-hydroxistyrol , Poly p-hydroxi-α-methyl­styrol oder einem Copolymeren von p-Hydroxistyrol und p-Hydroxi-α-methylstyrol mit Dihydropyran oder einem Alkylvinylether eingesetzt wird.

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EP0342498A2

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Es wird wie in Beispiel 1 beschrieben, jedoch unter Ersatz der 95 Teile Poly p-hydroxistyrol , dessen phenolische Hydroxylgruppen zu 50 % durch 2-Tetrahydropyranylgruppen geschützt sind, durch 95 Teile Poly p-hydroxistyrol , dessen phenolische Hydroxylgruppen zu 80 % durch 2-Tetrahydropyranylgruppen geschützt sind, eine Photoresistlösung hergestellt und weiterverarbeitet. Die positiv arbeitenden Gemische haben den Nachteil, daß sie relativ unempfindlich sind, die negativ arbeitenden Gemische benötigen eine große Zahl von Verfahrensschritten. Positive Resistmuster erhält man mit den erfindungsgemäßen strahlungsempfindlichen Gemischen, wenn man nach dem Belichten bei Temperaturen zwischen 60°C und 90°C ausheizt und anschließend mit alkalischen Entwicklern entwickelt. Die Auflösung liegt im Submikron-Bereich. Polycyclische Aromaten, wie Pyren und Perylen sind hierfür bevorzugt, jedoch können auch andere Farbstoffe, die als Sensibilisatoren wirken, verwendet werden. Die Lösung kann durch ein Filter mit einem Porendurchmesser von 0,2 µm filtriert werden.

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Auch Gemische der unter b genannten Verbindungen können eingesetzt werden. Die das erfindungsgemäße strahlungsempfindliche Gemisch enthaltenden Photoresistlösungen werden im allgemeinen in Schichtdicken von 0,1 bis 5 µm vorzugsweise 0,5 bis 1,5 µm auf geeignete Substrate, beispielsweise oberflächlich oxidierte Silizium-Wafer durch Aufschleudern spin coating aufgetragen, getrocknet z. Diese Systeme weisen jedoch zu geringe thermische Stabilität auf und ergeben Struktureigenschaften, die sie für den Submikronbereich ungeeignet machen. Besonders bevorzugt ist die Umsetzung der phenolische Hydroxylgruppen enthaltenden Kondensate oder Polymerisate mit Dihydropyran. Es eignen sich auch Gemische der obengenannten Bindemittel a.

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Kim Son

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Nguyen Current Assignee The listed assignees may be inaccurate. Besonders bevorzugt sind Alkylenglykol-monoalkylether, wie beispielsweise Ethyl-cellosolve, Butylglykol, Methyl-cellosolve und 1-Methoxy-2-propanol, Alkylenglykol-alkylether-ester, wie beispielsweise Methyl-cellosolve-acetat, Ethyl-cellosolve-acetat, Methyl-propylenglykol-acetat und Ethyl-propylenglykol-acetat, Ketone, wie beispielsweise Cyclohexanon, Cyclopentanon und Methyl-ethyl-keton, sowie Acetate wie Butylacetat und Aromaten, wie Toluol und Xylol. Anschließend wird mit der Testmaske im Kontaktverfahren 20 Sekunden mit Excimer-Laserlicht der Wellenlänge 248 nm belichtet und danach 1 Minute bei 120°C ausgeheizt. In gängigen Belichtungsgeräten auf Basis von Quecksilberlampen nutzt man die 254 nm Linie oder man verwendet Excimer-Laser, die bei 248 nm KrF emittieren. Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren zur Herstellung von positiven Reliefmustern wird eine strahlungsempfindliche Aufzeichnungsschicht, die im wesentlichen aus dem erfindungsgemäßen strahlungsempfindlichen Gemisch besteht, bildmäßig in solcher Dosis bestrahlt, daß die Löslichkeit der belichteten Bereiche nach einem thermischen Ausheizschritt bei Temperaturen zwischen 60°C und 90°C in wäßrig-alkalischen Lösungsmitteln zunimmt und diese Bereiche selektiv mit dem alkalischen Entwickler entfernt werden können. Novolaken oder Poly- p-vinylphenol en, enthalten, eingesetzt. Positiv arbeitende Resistzusammensetzung und Verfahren zur Herstellung eines Resistmusters unter Verwendung dieser Zusammensetzung 2003-03-24 2007-03-20 Fuji Photo Film Co.

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Kim Hoechst

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Diese entsprechen den allgemeinen Formeln V bzw. She works from her studio at Spring City Mill Studios in northern Chester County. Die unbelichteten Bereiche lassen sich dagegen nach dieser Behandlung vollständig mit dem wäßrig alkalischen Entwickler entfernen. Diese Poly p-hydroxistyrole können auch in bekannter Weise durch Umsetzung polymeranaloge Umsetzung ihrer Hydroxylgruppen mit z. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.

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Einen Überblick über die Anwendung von Oniumsalzen in Resistmaterialien gibt Crivello in Org. Positiv arbeitende strahlungsempfindliche Gemische sind bekannt und besonders positiv arbeitende Resistmaterialien, die o-Chinondiazide in wäßrig-alkalisch löslichen Bindemitteln, z. Es können jedoch auch andere Verbindungen verwandt werden, welche unter Bestrahlung eine starke Säure bilden und im gleichen Molekül eine säurespaltbare Bindung enthalten. Weiterhin sind strahlungsempfindliche Gemische auf Basis von säurespaltbaren Verbindungen bekannt, die als Bindemittel ein wäßrig-alkalisch lösliches Polymer sowie eine Verbindung, die photochemisch eine starke Säure bildet, und eine weitere Verbindung mit durch Säure spaltbaren Bindungen, die durch die Einwirkung der Säure ihre Löslichkeit in einem alkalischen Entwickler erhöhen, enthalten vgl. Schwalm Horst Binder Current Assignee The listed assignees may be inaccurate. Als photochemisch eine starke Säure bildende Verbindungen werden Diazonium-, Phosphonium-, Sulfonium- und Iodonium-, sowie Halogenverbindungen genannt. .

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Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed. Dazu soll ein strahlungsempfindliches Gemisch, das ein in Wasser unlösliches, in wäßrig-alkalischer Lösung lösliches Bindemittel mit einer säurelabilen Gruppierung, die durch Einwirkung von Säure verseift wird, und eine bei Bestrahlung eine starke Säure bildende Verbindung enthält, bildmäßig bestrahlt, erwärmt und die bildmäßig bestrahlten Schichtbereiche mit Entwicklerlösung ausgewaschen werden. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list. Nachteilig bei den beiden zuletzt genannten Systemen ist, daß sie bei Überbelichtung nicht mehr positiv, sondern negativ arbeitend sind, was ihre Anwendbarkeit stark einschränkt. Die Weiterverarbeitung erfolgt wie in Beispiel 1 beschrieben. Der Wafer wird dann zwischen 1 und 5 Minuten bei 90°C bzw. Komponente b ist im erfindungsgemäßen strahlungsempfindlichen Gemisch im allgemeinen in Mengen von 1 bis 20, vorzugsweise 3 bis 10 Gew.

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